Предназначена для выращивания монокристаллических слитков карбида кремния (SiC) диаметром до 150 мм методом сублимации исходного поликристаллического порошка карбида кремния с последующей конденсацией пересыщенных паров на поверхности затравочного кристалла (метод ЛЭТИ).
ПодробнееПредставляют собой высокотемпературные вакуумные печи с резистивной системой нагрева для обеспечения роста монокристаллов весом от 30 до 100 кг из расплава поликристаллического порошка оксида алюминия (метод Киропулоса, Степанова, метод ГНК Багдасарова).
ПодробнееПредназначена для рафинирования и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Ta) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной плавки (БЗП).
ПодробнееКомплектов систем управления в рамках программы производства ростовых машин «Апекс»
Три поколения систем управления технологическими процессами за 10 лет.
Рабочая температура в объёме вакуумной камеры
Обладаем компетенциями в области высокотемпературных технологических процессов.
Суток длительность непрерывного технологического процесса
Проектируем и производим оборудование с высокими показателями надежности.
Установка предназначена для выращивания монокристаллов лейкосапфира модифицированным методом Киропулоса.
Наиболее крупный реализованный проект компании «Сектор».
Серийное производство комплектов систем управления для ООО «Апекс» с 2006 г.
Большая география поставок систем данного типа в составе ростовых машин «Апекс» различных модификаций (6 стран мира).
ПодробнееУстановка предназначена для выращивания монокристаллов лейкосапфира модифицированным методом Киропулоса.
С 2005 года компания Сектор производит комплекты для модернизации ростовых машин этого типа, включающие систему управления и пакет прикладного программного обеспечения, привод вращения и перемещения штока, прецизионную систему регулирования и стабилизации мощности или напряжения в цепи нагревателя, а также блок контроля веса кристалла.
ПодробнееВ рамках реализации проекта инженерами компании Сектор, разработана система управления и электропитания для автоклавов (сосудов) гидротермального синтеза, которая обеспечивает многозонный нагрев автоклава, многоканальный контроль температуры зон нагрева и аварийно-предупредительную сигнализацию.
Для эффективного контроля и мониторинга 10 автоклавов при выполнении длительного технологического процесса роста монокристаллов, внедрена комплексная система диспетчеризации цеха.
ПодробнееСтенд предназначен для проведения исследований и испытаний, в том числе ресурсных, различных изделий, отдельных деталей и компонентов на основе монокристаллических материалов.
ПодробнееУстановка обеспечивает получение фракции диоксида кремния SiO₂ высокой чистоты (99,9995%).
ПодробнееУстановка предназначена для получения оптических заготовок из селенида цинка (ZnSe) и композиционного двухслойного материала селенид цинка / сульфид цинка (ZnSe / ZnS) с максимальным диаметром до 250мм и толщиной до 25мм.
АСУ ТП установки обеспечивает управление агрегатами вакуумного поста и системы силового электропитания тепловой зоны в ручном и автоматическом режимах работы.
ПодробнееУстановка обеспечивает формовку и электродуговой наплав кварцевых тиглей диаметром до 710 мм по технологии «Привязанная дуга».
Применение технологии ПД обеспечивает одновременный процесс наплава и полировки внутренней поверхности тигля при значительном снижении энергопотребления машины.
ПодробнееУстановка предназначена для выращивания монокристаллов фторидов (CaF₂, BaF₂, MgF₂) методом Бриджмена-Стокбаргера.
Проект реализован в 1999 году.
Исторически — это первый проект компании в области разработки и производства автоматизированных систем управления технологическими процессами роста монокристаллов.
ПодробнееКомпания «Сектор» — это многолетний опыт конструирования и применения прогрессивных научных технологий.
Лет опыта, надёжно работаем с 1998 года, ключевые сотрудники работают в отрасли более 35 лет.
Успешно выполненных проектов, в том числе госконтракты, контракты с предприятими Госкорпорации «Росатом» и контракты крупными иностранными предприятиями.
Поставляем продукцию в 8 стран мира: Японию, Китай, Тайвань, Польшу, Беларусь, Украину, Корею и Нидерланды и на отечественный рынок.
КБ «Алгоритм» занималось созданием оборудования для производства материалов электронной техники, созданием измерительных приборов и систем управления на базе микропроцессорной техники для специального технологического оборудования.
Главой нового предприятия стал бывший начальник конструкторского сектора тематического отдела №24 КБ «Алгоритм» — Валерий Давидович Афанасьев.
Коллектив новой компании в короткий срок выполнил модернизацию приборов, выпускаемых в прошлые годы, и наладил их мелкосерийное производство.
С 1999 г. ООО «Сектор» самостоятельно разрабатывает, производит и обслуживает оборудование для контроля и управления параметрами технологических процессов, комплексные системы управления технологическими процессами.
Валерий Давидович Афанасьев — директор компании «Сектор» с 1998 по 2018 гг.
Установка находится в ЛЭТИ, на ней постоянно идёт процесс совершенствования технологии роста монокристаллов карбида кремния. Приглашаем Вас посмотреть оборудование в работе.
ИНН / КПП: 7610042928 / 761001001
Наш адрес:
152901, Ярославская обл, г. Рыбинск, ул. Гоголя 1, офис 409-6
Телефон:
8 (4852) 66-25-68
Email:
info@sector-systems.ru
Информация на сайте не является публичной офертой. Оборудование является уникальным, создаётся согласно требованиям заказчика, и может отличаться от представленных на фото.
Впервые результаты по выращиванию объемных монокристаллов – слитков SiC – были представлены сотрудниками Ленинградского электротехнического института Ю.М. Таировым и В.Ф. Цветковым в 1976 году на I Европейской конференции по выращиванию кристаллов из газовой фазы в Цюрихе (Швейцария). Полномасштабная публикация о новом методе роста SiC, получившего название метод ЛЭТИ, появилась в 1978 году в международном журнале Crystal Growth.
В основе метода лежит классический процесс сублимации поликристаллического порошка карбида кремния с последующей конденсацией пересыщенных паров на поверхности затравочного кристалла.
Более 5 лет компания Сектор, в тесном сотрудничестве с научным коллективом СПбГЭТУ «ЛЭТИ» реализует проект, включающий разработку и производство машин Сектор-ТЛ, обеспечивающих выполнение технологических процессов роста монокристаллов SiC в соответствии с методом ЛЭТИ.
В конструкцию Сектор-ТЛ заложены технические решения, полученные на основе многолетнего опыта компании в области проектирования и автоматизации высокотемпературных вакуумных печей, с учетом современных требований индустрии к выращиванию монокристаллов SiC, обладающих высоким структурным совершенством.
Карбид кремния обладает уникальными физико-химическими свойствами, которые делают его наиболее востребованным в качестве материала подложек при производстве силовых полупроводниковых приборов нового поколения (JFET, MOSFET транзисторов и диодов Шоттки). Массовое производство таких компонентов приобрело большое значение в связи с быстрым развитием электротранспорта (электрических и гибридных автомобилей, а также автомобилей на водородных топливных элементах).
Декларация о соответствии ЕАЭС N RU Д – RU.AM05.B.02237/19.
Разрешение ФСТЭК РФ на экспорт установки Сектор-ТЛ за рубеж.
Монокристаллический сапфир нашел широкое применение в качестве материала для изготовления оптических компонентов (окон высокого давления, линз, призм и полусфер), часовых стекол, изделий медицинской техники (скальпелей, имплантов). Но в последние годы основным применением сапфира является изготовление подложек диаметром от 2 до 8 дюймов для массового производства сверхъярких светодиодов на основе нитрида галлия (GaN).
В рамках сотрудничества по тематике оборудования для выращивания монокристаллов сапфира мы предлагаем выполнение работ по трем основным направлениям:
Исходя из многолетнего опыта и компетенций, накопленных инженерами компании в этой области, мы предлагаем системы управления обладающие следующими функциональными возможностями:
Комплекс работ по модернизации может включать:
Проектируем ростовые установки исходя из современных требований в отрасли:
Метод БЗП позволяет получать монокристаллические и поликристаллические материалы высокой чистоты путем многократного перемещения зоны расплава по длине заготовки (слитка). При переплавке, примеси, содержащиеся в исходном слитке, не кристаллизуются, а стремятся остаться в расплавленной зоне, таким образом, при вертикальном перемещении зоны расплава примеси концентрируются на одном из концов слитка.
В настоящее время специалистами компании Сектор накоплен большой опыт в области разработки и производства, автоматизированных систем управления, высоковольтных источников питания и высокотемпературных установок в целом для обеспечения технологических процессов роста и рафинирования тугоплавких металлов методом БЗП.
Установка Апекс представляет собой высокотемпературную вакуумную печь с цилиндрической водоохлаждаемой вакуумной камерой, в объеме которой располагается тепловой узел, состоящий из керамической футеровки, системы листовых молибденовых экранов, нагревателя и ростового тигля, изготовленных из вольфрама.
Более десяти лет компания Сектор ведет успешное сотрудничество с ООО Апекс, результатом которого является серийное производство и поставка свыше 650 комплектов автоматизированных систем управления и силового электропитания для всех основных типов ростовых машин Апекс включая: Апекс-М (вес кристалла 30 кг), Апекс-250 (вес кристалла 60 кг), Апекс-300 (вес кристалла 85 кг).
С 2006 года инженерами компании Сектор разработаны три поколения систем управления и программного обеспечения для машин данного типа. В общем случае система обеспечивает управление, агрегатами вакуумного поста машины, включая диффузионный и механический насосы, управление механизмом вращения, рабочего и ускоренного перемещения штока, а также процессом нагрева тепловой зоны установки в ручном и автоматическом режимах работы.
Установка Омега представляет собой высокотемпературную вакуумную печь, которая обеспечивает рост монокристаллов лейкосапфира модифицированным методом Киропулоса (метод ГОИ).
Ростовые машины Омега производились в ЦКБМ Донец г. Луганск с начала 80-х годов 20-го века для целого ряда предприятий Министерства электронной промышленности СССР: НПО «ЭЛМА» г. Зеленоград; завод «Аналог» (АО ЗСК Монокристалл) г. Ставрополь; завод «Сапфир» г. Нор-Ачин республика Армения. Также установки Омега эксплуатировались Всероссийским научно-исследовательским институтом синтеза минерального сырья (ВНИИСИМС) г. Александров.
Установка оснащена вакуумной системой на основе диффузионного и механического насосов, механизмом вращения и перемещения штока, источником питания нагревателя на основе тиристорного регулятора и сухого печного трансформатора, а также аналоговой системой управления и измерения параметров технологического процесса. Управление процессом нагрева и плавления исходного сырья осуществляется путем регулирования и стабилизации напряжения на нагревателе.
С 2005 года инженерами компании Сектор разработаны два поколения автоматизированных систем управления, предназначенных для модернизации парка ростовых машин Омега.
Реализация проекта: Для АО «ЗСК «Монокристалл» выполнена поставка двух комплектов систем управления первого поколения.
Выполнена поставка 20 комплектов систем управления второго поколения для ООО «Минерал», г. Александров.
Основным технологическим оборудованием для выращивания монокристаллов кварца методом гидротермального синтеза являются толстостенные цилиндрические сосуды (автоклавы) высокого давления высотой 11м и диаметром 1,4м, изготовленные из легированной стали. На внешней боковой поверхности автоклава размещены нагреватели, обеспечивающие 5 зон нагрева. Для достижения высокой энергоэффективности технологического процесса наружная поверхность автоклава облицована секционными теплоизоляционными элементами.
Верхняя и нижняя части внутреннего объема сосуда разделены металлической пластиной с отверстиями (диафрагмой), которая делит автоклав на две зоны: зону роста (верхняя часть) и зону растворения (нижняя часть). Необходимые для роста кристаллов параметры в сосуде (градиент температур и давление) создаются за счет 5 зон нагрева на наружной поверхности сосуда. На дне сосуда в зоне растворения размещается шихта в виде небольших кусков природного кристаллического или жильного кварца. Автоклав заполняется до определенного объема растворителем, который представляет собой водно-щелочной или водно-содовый раствор. В верхней зоне кристаллизации размещается металлический каркас, состоящий из ярусов с затравочными кристаллами. При нагревании раствора до рабочих температур 350 - 400°С, рабочий объем автоклава полностью заполняется, при этом рабочее давление в объеме сосуда может достигать 120МПа. Температура в зоне кристаллизации поддерживается ниже температуры зоны растворения на 20 - 40°С и контролируется термопарами. При этом кварц в нижней зоне растворяется до насыщения. Благодаря конвекционным потокам, формируемым градиентом температур и диафрагмой, насыщенный раствор переносится в зону кристаллизации, где он становится пересыщенным, что приводит к осаждению растворенного вещества на поверхности затравочных кристаллов.
Система управления реализована на основе программируемого логического контроллера (ПЛК) компании LSIS и сенсорной панели оператора. Управление питанием зон нагрева осуществляется с помощью тиристорных регуляторов. В состав системы входит многоканальный блок измерения температуры для каждой зоны нагрева.
Цех роста монокристаллов кварца содержит 10 автоклавов. При этом все АСУ отдельных сосудов интегрированы в единую систему диспетчеризации для повышения степени автоматизации технологического процесса и оптимизации численности технологического персонала.
Система состоит из сервера, который имеет специальное программное обеспечение и базу данных для регистрации всех параметров десяти сосудов. Сервер осуществляет сбор данных со всех ПЛК систем управления отдельными автоклавами по протоколу Modbus TCP (интерфейс Ethernet), диспетчеризация и управление осуществляется с помощью графического интерфейса прикладного программного обеспечения рабочей станции оператора.
Искусственные кристаллы кварца нашли широкое применение в оптике и радиоэлектронике для производства пьезопреобразователей, кварцевых фильтров, кварцевых резонаторов и ультразвуковых линий задержки.
Разработка и поставка комплекса систем управления и диспетчеризации цеха гидротермального синтеза монокристаллов кварца для ООО «Кварцевые технологии», р.п. Шилово, Рязанская область.
В рамках реализации проекта специалистами компании выполнен полный цикл разработки составных систем стенда включая все стадии по ГОСТ 2.103-2013, а также производство, поставку и пуско-наладочные работы на территории заказчика.
Принцип действия установки основан на обработке кварцевой крупки парами кремнефтористой кислоты H₂SiF₆ , поступающей из испарителя (реактора с нагревателем) с последующей конденсацией чистой фракции SiO₂ на внутренней охлаждаемой поверхности верхней камеры.
Получаемый материал используется для наплава кварцевого стекла высокой чистоты, при производстве кварцевой оснастки в микроэлектронной технологии, а также в качестве сырья для производства кварцевой керамики, монокристаллов кварца.
Разработка и поставка одной установки АПК-100 для ООО «Полярный кварц», г. Нягань.
Основным элементом установки является вакуумная камера в объеме которой располагается графитовый тепловой узел, включающий цилиндрический нагреватель и реакционный контейнер. В течении всего технологического процесса осуществляется откачка вакуумной камеры с помощью двухступенчатой вакуумной системы на основе диффузионного и механического насосов. Нагрев тепловой зоны обеспечивается с помощью графитового нагревателя при питании от печного трансформатора. Управление процессом нагрева осуществляется с помощью тиристорного регулятора в первичной цепи печного трансформатора.
Установка Поликристалл-250 обеспечивает производство заготовок из селенида цинка (ZnSe) марок ПО4-ВИ (мультиспектрального качества) и ПО4-И (инфракрасного качества), предназначенных для изготовления оптических деталей приборов, работающих в спектральном диапазоне от 0,55 до 15,0 мкм. Заготовки из материала ПО4-ВИ используются для производства оптических компонентов медицинской и специальной техники, а ПО4-И для производства оптических деталей CO₂ - лазеров.
Композиционный двухслойный материал (ZnSe/ZnS) – поликристаллический материал на основе селенида цинка (ZnSe) c защитным слоем из сульфида цинка (ZnS) толщиной от 0,4 до 1,2 мм. Слой (ZnS) предназначен для защиты оптического компонента из материала (ZnSe) от неблагоприятных факторов эксплуатации оптического прибора: влаги, пыли или механических повреждений.
Выполнена поставка трех комплектов систем управления для ЗАО «ИНКРОМ», Санкт-Петербург.
Установка обеспечивает формовку и электродуговой наплав кварцевых тиглей диаметром до 710 мм по технологии «Привязанная дуга» (Патент RU2336234). Конструкция машины включает следующие агрегаты и системы:
В отличие от типовых процессов наплава, реализуемых установками старого типа (УИСТ60, УИСТ70), в которых дуга зажигается только между двумя графитовыми электродами, новый технологический процесс предусматривает формирование электрической дуги постоянного тока между электродами и поверхностью тигля. Таким образом, в процессе наплава используется, как лучистая энергия дуги, так и джоулево тепло, выделяющееся при протекании электрического тока, через стенку тигля, что значительно повышает эффективность производства.
Кварцевые тигли используются при производстве монокристаллов кремния. В объеме кварцевого тигля осуществляется расплав поликристаллического кремния и последующий рост монокристаллического слитка по методу Чохральского.
В 2012 году разработан технический проект и рабочая конструкторская документация для комплекса систем установки наплава кварцевых тиглей. Осуществлена поставка отдельных компонентов установки для ФГУП ОКТБ ИС, г. Сходня (г. Химки) и ОАО «ПХМЗ», г. Подольск.
В рамках реализации проекта выполнена разработка, производство и поставка комплекта системы управления для модернизации двухзонной вакуумной печи «Нева-Заале» (производства ГДР). Система управления обеспечивает выполнение технологического процесса группового роста оптических крупногабаритных монокристаллов фторидов (CaF₂, BaF₂, MgF₂). Процесс состоит из стадии расплава, кристаллизации и отжига кристаллов путем перемещения тигля с расплавом из верхней, более горячей зоны в нижнюю, менее горячую зону через диафрагму, имеющую отверстие для прохождения тигля. Требуемый градиент температур для кристаллизации обеспечивается независимым регулированием режимов нагрева обеих зон. Рост монокристалла осуществляется на затравку определенной ориентации, которая располагается в дне графитового тигля.
В течение трех лет выполнена модернизация 9 машин типа Нева-Заале в ГОИ им. Вавилова, Санкт-Петербург.